دانش

خازن های تراشه یک ماده خازنی هستند. نام کامل خازن تراشه این است: خازن سرامیکی چند لایه (MLCC) که به عنوان خازن تراشه نیز شناخته می شود. دو روش برای بیان ظرفیت تراشه وجود دارد، یکی بر حسب اینچ و دیگری

دیود زنر (که دیود زنر نیز نامیده می شود) نوعی دیود کریستالی تماس سطحی ساخته شده از مواد سیلیکونی است که به عنوان لوله زنر شناخته می شود. [1] این دیود یک دستگاه نیمه هادی با مقاومت بالا تا ولتاژ شکست م

دو نوع اصلی تثبیت کننده ولتاژ سه ترمینالی وجود دارد. یکی ولتاژ خروجی ثابت است که تثبیت کننده ولتاژ خروجی ثابت سه ترمینال نامیده می شود و دیگری ولتاژ خروجی قابل تنظیم است که به نام تثبیت کننده ولتاژ خر

تفاوت اصلی دیود شاتکی با دیود معمولی این است که ولتاژ مقاومت دیود معمولی می تواند بیشتر باشد، اما سرعت بازیابی آن کم است و فقط برای یکسوسازی فرکانس پایین می توان از آن استفاده کرد. اگر فرکانس بالا باش

ساختار و ویژگی های SBD آن را برای استفاده به عنوان یکسوسازی فرکانس بالا در میدان های خروجی ولتاژ پایین و جریان بالا، تشخیص و اختلاط در فرکانس های بسیار بالا (مانند باند X، باند C، باند S و باند Ku) من

SBD دارای مزایای فرکانس سوئیچینگ بالا و ولتاژ رو به جلو کم است، اما ولتاژ شکست معکوس آن نسبتا کم است، عمدتاً بالاتر از 60 ولت نیست و حداکثر آن تنها حدود 100 ولت است که محدوده کاربرد آن را محدود می کند

دیود شاتکی به نام مخترع آن دکتر شاتکی نامگذاری شده است. SBD مخفف عبارت Schottky Barrier Diode (SBD) است. SBD با اصل اتصال PN که از تماس بین نیمه هادی نوع P و نیمه هادی نوع N تشکیل می شود، ساخته نمی شو

The rectifier bridge stack product is composed of four rectifier silicon chips for bridge connection, and is packaged with insulating plastic externally. The high-power rectifier bridge is wrapped wit

پل کامل از چهار دیود با چهار پین خروجی تشکیل شده است. نقطه اتصال قطب منفی دو دیود، "قطب مثبت" ترمینال خروجی DC پل کامل، و نقطه اتصال قطب مثبت دو دیود، "قطب منفی" پل DC کامل است. .

در مقایسه با ترانزیستورهای دوقطبی MOSFET دارای ویژگی های زیر است. (1) FET یک دستگاه کنترل ولتاژ است که ID (جریان تخلیه) را از طریق VGS (ولتاژ منبع دروازه) کنترل می کند. (2) جریان ورودی کنترل FET بسیار

MOS مخفف MOSFET است. ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز ماسفت (MOSFET) به اختصار ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز (MOSFET) نامیده می شود. به طور کلی، این ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی ا

ترانزیستور کریستالی عملکرد تقویت جریان را دارد. ماهیت آن این است که تریود می تواند تغییر بزرگ جریان کلکتور را با تغییر کوچک جریان پایه کنترل کند. این اساسی ترین و مهم ترین مشخصه تریود است. ما Δ Ic/ Δ