ترانزیستور

ترانزیستور اتصال دو قطبی (BJT)
Bipolar Junction Transistors are transistors that are built up of 3 regions, the base, the collector, and the emitter. Bipolar Junction transistors, different FET transistors, are current-controlled devices. A small current entering the base region of the transistor causes a much larger current flow from the emitter to the collector region. Bipolar junction ترانزیستورها در دو نوع اصلی قرار می گیرند ، NPN و PNP. یک ترانزیستور NPN یکی از مواردی است که در آن اکثر حامل های فعلی الکترون.}

الکترونی که از emitter به جمع کننده جریان می یابد ، پایه اکثریت جریان جریان را از طریق ترانزیستور .} انواع بیشتر شارژ ، سوراخ ها ، یک اقلیت {1} transistors pnp مخالف . در ترانزیستورهای PNP ، عمده ترانسفورماتیک} bj {3 {jorist {intrist {inty.. PNP و NPN .

ترانزیستور PNP
این ترانزیستور نوع دیگری از ترانزیستورهای اتصال دو قطبی BJT-دو قطبی است و حاوی دو ماده نیمه هادی از نوع P است . این مواد از طریق یک لایه نیمه هادی نوع N نازک تقسیم می شوند .}} در این ترانزیستورها ، حامل های اکثریت حامل هایی هستند که در صورتی هستند که دارایی های صلاحیت هستند.

در این ترانزیستور ، نماد فلش جریان جریان معمولی را نشان می دهد . جهت جریان جریان در این ترانزیستور از ترمینال emitter تا ترمینال جمع آوری است . این ترانزیستور روشن می شود که ترمینال پایه به پایین کشیده شود و در مقایسه با ترمینال emitter .}} transistor pnp نشان داده شود.

ترانزیستور NPN
NPN همچنین یکی از نوع های BJT (ترانزیستورهای اتصال دو قطبی) است و شامل دو ماده نیمه هادی از نوع N است که از طریق یک لایه نیمه هادی از نوع P-Type P-نوع تقسیم می شوند . در ترانزیستور NPN ، پایه های اکثریت بار الکترون ها هستند در حالی که اقلیت های شارژ از حامل ها از لحاظ جریان ترمینال هستند. ترمینال ترانزیستور.

در ترانزیستور ، مقدار کمتری از جریان جریان در ترمینال پایه می تواند مقدار زیادی از جریان را از ترمینال emitter به جمع کننده .} در حال حاضر ترانزیستورهای NPN ایجاد کند ، زیرا تحرک الکترونها بالاتر از آن است که در مقایسه با تحرک سوراخ ها.}}} transistor npn با یک نماد نشان داده شده است.

اثر میدانی ترانزیستور
ترانزیستورهای اثر میدانی از 3 منطقه ، یک دروازه ، یک منبع و یک تخلیه. transistors مختلف دو قطبی ، دستگاه های کنترل شده با ولتاژ. یک ولتاژ قرار داده شده در دروازه کنترل جریان از منبع به سمت تخلیه از منبع Transistor {4} Effect Effect Field}}}}} (MΩ) مقاومت در برابر مقادیر بسیار بزرگ ، بسیار بزرگتر.

این امپدانس ورودی بالا باعث می شود که جریان جریان بسیار کمی از طریق آنها داشته باشد . (طبق قانون اهم ، جریان به طور معکوس تحت تأثیر مقدار امپدانس .} اگر امپدانس زیاد باشد ، جریان بسیار کم است .}) بنابراین FETs هر دو منبع قدرت بسیار کمی از یک جریان اندک است.

بنابراین ، این ایده آل است زیرا آنها عناصر اصلی مدار مدار را که به آنها متصل شده اند ، مزاحم نمی کنند . آنها باعث نمی شوند منبع تغذیه بارگیری شود . اشکال FETS این است که آنها همان تقویت را ارائه نمی دهند که می تواند از ترانزیستورهای دو قطبی بدست آید {2.

ترانزیستورهای دو قطبی از این واقعیت برتر هستند که آنها تقویت بیشتری را ارائه می دهند ، حتی اگر FET ها بهتر از این باشند که باعث بارگذاری کمتری می شوند ، ارزان تر هستند و ساخت ترانزیستورهای میدان. در 2 نوع اصلی قرار می گیرند: Jfets و Mosfets.} jfets و mosfets حتی mosfets inforts بسیار بالاتر هستند اما mosfets بسیار مشابه هستند اما mosfets دارایی های بسیار مشابهی دارند اما mosfets بسیار مناسب هستند اما mosfets دارای مواردی هستند که دارای مواردی هستند اما mosfets بسیار مشابه هستند اما mosfets بسیار بالاتر هستند باعث بارگذاری کمتر در یک مدار. ترانزیستورهای FET {}} transistors به دو نوع JFET و MOSFET.}

jfet
The JFET stands for Junction-Field-Effect transistor. This is simple as well as an initial type of FET transistors which are utilized like resistors, amplifiers, switches, etc. This is a voltage-controlled device and it doesn't use any biasing current. Once the voltage is applied among gate & source terminals then it controls the current flow among the منبع و تخلیه ترانزیستور JFET.

The Junction Field Effect Transistor (JUGFET or JFET) has no PN-junctions but in its place has a narrow part of high resistivity semiconductor material forming a "Channel" of either N-type or P-type silicon for the majority carriers to flow through with two ohmic electrical connections at either end normally called the Drain and the Source respectively.

There are two basic configurations of a junction field-effect transistor, the N-channel JFET and the P-channel JFET. The N-channel JFET's channel is doped with donor impurities meaning that the flow of current through the channel is negative (hence the term N-channel) in the form of electrons. These transistors are accessible in both P-channel and N-channel انواع .

مسخره
ترانزیستور با اثر میدانی MOSFET یا فلزی اکسید-سیما ، بیشتر در بین انواع ترانزیستورها مورد استفاده قرار می گیرد . همانطور که از نام آن پیداست ، شامل ترمینال دروازه فلزی .}} این ترانزیستور شامل چهار ترمینال مانند منبع ، تخلیه ، دروازه ، دروازه ، دروازه و زیرمجاز یا بدنه {5.
As compared with BJT and JFET, MOSFETs has several benefits as it provides high i/p impedance as well as low o/p impedance. MOSFETs are mainly used in low power circuits especially while designing chips. These transistors are available in two types like depletion & enhancement. Further, these types are categorized into P-channel & N-channel انواع.